GaN器件質子輻照與電場綜合試驗系統及方法

【摘要】：基于GaN器件質子輻照損傷機制和退化特性，根據劑量深度分布等效擬合原理，提出與地球同步軌道質子輻照環境等效的多能質子綜合輻照試驗方法。針對空間內帶電問題計算了電路板材料的充電電位，設計用于內帶電效應模擬的靜電場和瞬態電場的模擬方法及裝置。建立質子輻照與電場綜合試驗系統并開展初步的試驗。研究結果表明：GaN器件在跨導峰值處的柵源電壓隨質子注量發生偏移；相對于單獨質子輻照，質子和電場綜合作用下器件特征參數變化速度更快，幅度更大，證明了所提試驗方法及系統的有效性。